УДК

621.383.5

Сведения об авторах

Ибрагимов Гусейн Бехбуд оглы, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий лабораторией «Полупроводники и явления переноса в полупроводниковых наноструктурах» Института физики Национальной академии наук Азербайджана. Автор 105 научных публикаций, в т. ч. 5 учебных пособий, 10 патентов

Керимов Эльчин Ахмед оглы, кандидат физико-математических наук, доцент, начальник отдела «Исследование и моделирование элементов космических инфраструктур» Национального аэрокосмического агентства Азербайджана. Автор 50 научных публикаций, в т. ч. трех учебных пособий, и одного патента

Аннотация

Создание высококачественных быстродействующих полупроводниковых приборов и интегральных микросхем требует внедрения в технологию их изготовления новых материалов. Наиболее перспективными из них являются силициды – соединения кремния с более электроположительными элементами. Эти соединения могут получаться в результате реакции в твердой фазе при температуре в интервале от вполовину меньшей, чем температура плавления этого металла по абсолютной шкале, до температуры плавления. Силициды обладают высокой проводимостью металлического характера, высокой температурной стабильностью и превосходят по этим свойствам любой сильнолегированный слой полупроводника. Стабильные и надежные характеристики контактов силицид иридия – кремний (IrSi-Si) привели к широкому распространению силицидов в качестве материалов для омических контактов, затворов в метал-окиселполупроводник-транзисторах (МДП), материалов для хранения оптической информации, фотоприемников, работающих в ИК-области спектра и т. п.
В работе исследовались электрофизические свойства структур IrSi – Si, полученных как термическим испарением, так и методом магнетронного испарения. Выявлено, что термообработка структуры до 250 ºС не вызывает необратимых изменений в электрических свойствах IrSi – Si. Данные, имеющиеся в литературе, говорят о том, что высота барьера почти идеальных (n < 1,07) диодов Шоттки лежит в интервале 0,88 – 0,94 эВ; в то же время результаты наших измерений показали, что для IrSi – Si, полученного магнетронным распылением, она равна 0,94 эВ. Может быть, именно по этой причине пробивное напряжение не зависит от толщины IrSi, полученного магнетронным распылением, что свидетельствует об однородности контакта IrSi – Si. Эксперименты с диодами различных диаметров показали, что прямые и обратные токи пропорциональны их активной площади.

Ключевые слова

фотодиод, барьер Шоттки, Шоттковские координаты, магнетронное распыление, ток насыщения, прямые токи, обратные токи.

Список литературы

1. Курбатов Л.H. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра. М., 1999. 320 с.
   
2. Banhart F., Ajayan P.M. Carbon Onions as Nanoscopie Pressure Cells for Diamond Formation. London, 1996. P. 433.
   
3. Kukovecz A., Konya Z., Kiricsi I. Single Wall Carbon Nanotubes // Encyclopedia of Nano-Science and Nanotechnology / ed. by H.S. Nalwa. American scientific publishers, 2004. Vol. 9. P. 923–946.
   
4. Lijima S., Ichihasi T., Ando Y. Pentagons, Heptagons and Negative Curvature in Graphite Curvature in Graphite Microtubulu Growth. London, 1992. P. 776.
   
5. Gmaly E. Single-Walled Carbon NT Formation with a Cintinuous CO2-laser: Experiments and Theory. Appl. Phys., 2000. P. 161.
   
6. Немошкаленко В.В., Антонов В.Н. Методы вычислительной физики и теории твердого тела, зонная теория металлов. Киев, 1985.